氮化鎵單晶基片
　　一、合成方法
　　1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應(yīng)。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動液態(tài)金屬，并促使與氮化劑的接觸。
　　2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細的GaP或GaAs也可制得GaN。
　　二、材料簡介
　　GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、GaAs、InP化合物半導體材料之后的半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。
　　優(yōu)點
　　1、工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強；
　　2、與導帶的其他能谷之間能量差大，則不易產(chǎn)生谷間散射，從而能得到很高的強場漂移速度（電子漂移速度不易飽和）；
　　3、能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率高；
　　4、晶格對稱性比較低，具有很強的壓電性和鐵電性：在異質(zhì)結(jié)界面附近產(chǎn)生很強的壓電極化和自發(fā)極化，感生出高密度的界面電荷，強烈調(diào)制了異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)，加強了對2-DEG的二維空間限制，從而提高了2-DEG的面密度。